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Factors affecting of ionization potential

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Ionisation क्षमता को प्रभावित करने वाले कारक

(i) परमाणु त्रिज्या:

एक तत्व की ionisation क्षमता के मूल्य इसकी परमाणु त्रिज्या बढ़ जाती है के रूप में घट जाती है। इसका कारण यह है कि नाभिक और बाहरीतम इलेक्ट्रॉन के बीच का आकर्षण का एलिकोस्टैटिक बल घट जाती है, क्योंकि उनके बीच की दूरी बढ़ जाती है। इसलिए इलेक्ट्रॉन को हटाने के लिए आवश्यक ऊर्जा अपेक्षाकृत कम होगी

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(ii) प्रभावी परमाणु आरोप:

एक परमाणु के नाभिक पर अधिक से अधिक प्रभावी प्रभार, परमाणु से एक इलेक्ट्रॉन को हटाने के लिए अधिक कठिन होता है क्योंकि नाभिक और बाहरीतम इलेक्ट्रॉन वृद्धि के बीच आकर्षण का इलेक्ट्रोस्टैटिक बल होता है। तो इलेक्ट्रॉन को निकालने के लिए अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होगी।

आयन क्षमता संभावित α प्रभावी परमाणु चार्ज (जेफ)

(iii) ऑर्बिटल्स का प्रवेश प्रभाव:

इलेक्ट्रॉनों को एस, पी, डी और एफ-ऑर्बिटल्स से खोलने के लिए आवश्यक ऊर्जा का क्रम है> पी> डी> एफ क्योंकि नाभिक वृद्धि से इलेक्ट्रॉन की दूरी बढ़ जाती है।

उदाहरण के लिए: बी (जेड = 4, आईएस 2 2 एस 2) और एमजी (जेड = 12, 1 एस 2 2 एस 2 2 पी 6 3 एस 2) की आयनियोजन क्षमता का मूल्य बी (जेड = 5, 1 एस 2 2 एस 2 2 पी 1 एक्स) और एल (जेड) के आईपी से ज्यादा है। = 13, 1 एस 2 2 एस 2 2 पी 6 3 एस 23 पी 2 एक्स) क्योंकि 2 एस और 3 एस इलेक्ट्रानों की प्रवेश क्षमता क्रमशः 2p और 3p ऑर्बिटल्स से अधिक है। अधिक ऊर्जा के लिए इलेक्ट्रॉनों को 2 एस और 3 एस ऑर्बिटल्स से अलग करना होगा।

(iv) परिरक्षण या स्क्रीनिंग प्रभाव:

नाभिक और बाह्यतम इलेक्ट्रॉनों के बीच के भीतर के गोले में इलेक्ट्रानों की संख्या में वृद्धि होने पर परिरक्षण या स्क्रीनिंग प्रभाव बढ़ जाता है। इससे नाभिक और बाह्यतम इलेक्ट्रॉन के बीच आकर्षण के बल में कमी आती है और इलेक्ट्रॉन को अलग करने के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है। इस प्रकार आई.पी. का मूल्य घट जाती है।

आयन क्षमता संभावित α (1 / बचाव या स्क्रीनिंग प्रभाव)

(v) आधे भरे और पूरी तरह भरी हुई ऑर्बिटल्स की स्थिरता:

हुंड के नियम के मुताबिक आधे भरा या पूरी तरह से भ्रष्ट ऑर्बिटल्स की स्थिरता अपेक्षाकृत अधिक है। तो ऐसे परमाणुओं से इलेक्ट्रॉन को अलग करने के लिए तुलनात्मक रूप से अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है।

उदाहरण के लिए :

(ए) इलेक्ट्रॉन का निकालना एन (जेड = 7, ईएस 2 2 एस 2) के आधे भरे विन्यास से अपेक्षाकृत कठिन है।

(बी) सबसे स्थिर एस 2 पी 6 इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के कारण जड़ गैसों की आयनियोजन क्षमता बहुत अधिक है।